Número de pieza del fabricante | GBJ2006 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2006 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2006 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2006 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2006-FT |
HD02-T
Diodes Incorporated
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
KBP02G
Diodes Incorporated
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQ208I
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
Intel
EPF10K200SBC600-2
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC4013E-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C4N
Intel