casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2006TB
Número de pieza del fabricante | GBJ2006TB |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2006TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2006TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2006TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2006TB-FT |
EABS1G RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
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EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
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XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
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5CGXFC7C6U19I7
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EP4CE55F29I7
Intel