casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2001TB
Número de pieza del fabricante | GBJ2001TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ2001TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2001TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2001TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2001TB-FT |
GBU2505 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007 D2G
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GBU15L05 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407HD2G
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GBU607HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S100E-4VQG100Q
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XC3S1500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQ208I
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EPF8282ATI100-3N
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC4013E-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C4N
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