Número de pieza del fabricante | GBJ1510 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ1510 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1510 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 7.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1510 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1510-FT |
PB62
Diodes Incorporated
PB62-F
Diodes Incorporated
PB64
Diodes Incorporated
HD01-T
Diodes Incorporated
HD06-T
Diodes Incorporated
HD04-T
Diodes Incorporated
HD02-T
Diodes Incorporated
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel