Número de pieza del fabricante | GBJ1501 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ1501 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1501 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 7.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1501 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1501-FT |
RS405LDI-F
Diodes Incorporated
RS407L
Diodes Incorporated
PB605
Diodes Incorporated
PB61
Diodes Incorporated
PB62
Diodes Incorporated
PB62-F
Diodes Incorporated
PB64
Diodes Incorporated
HD01-T
Diodes Incorporated
HD06-T
Diodes Incorporated
HD04-T
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel