casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1010TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1010TB |
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Número de parte futuro | FT-GBJ1010TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1010TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1010TB-FT |
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
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RMB6SHRCG
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MBS10HRCG
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MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FGG256
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A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
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XC7VX690T-2FF1158I
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XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
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LFX200EB-03F256I
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LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
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5CGXFC4C6F23C7N
Intel