casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1010-G
Número de pieza del fabricante | GBJ1010-G |
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Número de parte futuro | FT-GBJ1010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1010-G-FT |
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
BGX50AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
PBU805
Diodes Incorporated
RS602
Diodes Incorporated
RS605
Diodes Incorporated
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation