casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1006TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1006TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ1006TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1006TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1006TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1006TB-FT |
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel