casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1006TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1006TB |
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Número de parte futuro | FT-GBJ1006TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1006TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1006TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1006TB-FT |
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
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MBS6 RCG
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MBS6HRCG
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MBS8HRCG
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GBU607 D2G
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GBU407 D2G
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GBU405 D2G
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A1010B-2PQG100C
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XC6SLX100-L1CSG484C
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XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
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M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
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EPF10K50RI240-4N
Intel