casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1002TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1002TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ1002TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1002TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1002TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1002TB-FT |
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
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GBU406 D2G
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GBU1006 D2G
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GBU2505 D2
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A40MX02-VQG80A
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A54SX32A-TQG144I
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5SGSMD6K2F40C2N
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5SGXMA4K2F40C3N
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5SGXEA7N2F45I2L
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5SGXEA7H1F35C1N
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XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
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A42MX09-PQ100I
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LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation