casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1002TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1002TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ1002TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1002TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1002TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1002TB-FT |
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU2505 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144I
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XC2V250-4FGG256C
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LFE2-12E-6QN208I
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AX250-FGG484
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EP3CLS100F484I7
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5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation