casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ1001TB
Número de pieza del fabricante | GBJ1001TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ1001TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1001TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1001TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ1001TB-FT |
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
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GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
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GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
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M2GL025TS-1FGG484I
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M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
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10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
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EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
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