casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ10005TB
Número de pieza del fabricante | GBJ10005TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ10005TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ10005TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ10005TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ10005TB-FT |
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-3TQG144I
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A1225A-PQ100C
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XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
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5SGXMB6R3F43C2LN
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EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel