casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ10005TB
Número de pieza del fabricante | GBJ10005TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ10005TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ10005TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ10005TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ10005TB-FT |
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
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XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
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EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel