casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / GB2X50MPS12-227
Número de pieza del fabricante | GB2X50MPS12-227 |
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Número de parte futuro | FT-GB2X50MPS12-227 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GB2X50MPS12-227 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 2 Independent |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 93A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 50A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB2X50MPS12-227 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GB2X50MPS12-227-FT |
MBR40045CTR
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel