casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / GB10SLT12-252
Número de pieza del fabricante | GB10SLT12-252 |
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Número de parte futuro | FT-GB10SLT12-252 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GB10SLT12-252 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-252 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GB10SLT12-252-FT |
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW15E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW100E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel