casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / G5SBA80-M3/45
Número de pieza del fabricante | G5SBA80-M3/45 |
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Número de parte futuro | FT-G5SBA80-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G5SBA80-M3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G5SBA80-M3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | G5SBA80-M3/45-FT |
GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel