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Número de pieza del fabricante | FYP1010DNTU |
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Número de parte futuro | FT-FYP1010DNTU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FYP1010DNTU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FYP1010DNTU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FYP1010DNTU-FT |
SDP20S30
Infineon Technologies
BAV99SH6327XTSA1
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BAS16SH6327XTSA1
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BAV 70S E6433
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M1A3P250-2PQG208I
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EP20K300EFC672-1
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10CL055YU484I7G
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EP3SL50F484C4L
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5SGXEA7N3F45I3LN
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XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
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LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation