casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / FVTS10R1E200R0JE
Número de pieza del fabricante | FVTS10R1E200R0JE |
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Número de parte futuro | FT-FVTS10R1E200R0JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FVTS |
FVTS10R1E200R0JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 200 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 12W |
Composición | Wirewound |
Coeficiente de temperatura | ±260ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 350°C |
Caracteristicas | - |
Revestimiento, tipo de vivienda | Vitreous Enamel Coated |
Característica de montaje | Brackets (not included) |
Tamaño / Dimensión | 0.313" Dia x 1.750" L (7.94mm x 44.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Estilo de plomo | Combo Leads |
Paquete / Caja | Radial, Tubular |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FVTS10R1E200R0JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FVTS10R1E200R0JE-FT |
L25J2K0
Ohmite
L25J2K5
Ohmite
L25J2R0
Ohmite
L25J3K0
Ohmite
L25J3K5E
Ohmite
L25J3R0
Ohmite
L25J4K0
Ohmite
L25J4R0
Ohmite
L25J500
Ohmite
L25J50K
Ohmite
LCMXO2280C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX50DF780C6
Intel
EP1C12F324I7N
Intel