casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT93C66A-UDR-B
Número de pieza del fabricante | FT93C66A-UDR-B |
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Número de parte futuro | FT-FT93C66A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT93C66A-UDR-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Frecuencia de reloj | 2MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C66A-UDR-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT93C66A-UDR-B-FT |
GD25LQ256DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
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GD25Q64CWIGR
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7A50T-2FG484I
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XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
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LFE2M50E-6F900C
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP4CE55F29I8L
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