casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT93C66A-IDR-B
Número de pieza del fabricante | FT93C66A-IDR-B |
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Número de parte futuro | FT-FT93C66A-IDR-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT93C66A-IDR-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Frecuencia de reloj | 2MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C66A-IDR-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT93C66A-IDR-B-FT |
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel