casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT93C66A-IDR-B
Número de pieza del fabricante | FT93C66A-IDR-B |
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Número de parte futuro | FT-FT93C66A-IDR-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT93C66A-IDR-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Frecuencia de reloj | 2MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C66A-IDR-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT93C66A-IDR-B-FT |
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel