casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT24C32A-UNR-T
Número de pieza del fabricante | FT24C32A-UNR-T |
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Número de parte futuro | FT-FT24C32A-UNR-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C32A-UNR-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 32Kb (4K x 8) |
Frecuencia de reloj | 800kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 700ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C32A-UNR-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT24C32A-UNR-T-FT |
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited