casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS50R07N2E4B11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FS50R07N2E4B11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FS50R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPACK™ 2 |
FS50R07N2E4B11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 70A |
Potencia - max | 190W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FS50R07N2E4B11BOSA1-FT |
FP35R12W2T4BOMA1
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XC3S500E-5FTG256C
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5SGSMD5K3F40I3LN
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5SGSED6N3F45C2L
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5SGXMA4H3F35I4
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XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
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LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
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