casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS200R07N3E4RB11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FS200R07N3E4RB11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FS200R07N3E4RB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200A |
Potencia - max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FS200R07N3E4RB11BOSA1-FT |
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Infineon Technologies
XC6SLX75-3CSG484C
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XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel