Número de pieza del fabricante | FR2A-TP |
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Número de parte futuro | FT-FR2A-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR2A-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA, HSMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR2A-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FR2A-TP-FT |
EGL34CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10FE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel