Número de pieza del fabricante | FR2A-TP |
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Número de parte futuro | FT-FR2A-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR2A-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA, HSMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR2A-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FR2A-TP-FT |
EGL34CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10FE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel