Número de pieza del fabricante | FR1M-TP |
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Número de parte futuro | FT-FR1M-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR1M-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 500ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR1M-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FR1M-TP-FT |
EGL34BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel