Número de pieza del fabricante | FR1D-13 |
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Número de parte futuro | FT-FR1D-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR1D-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR1D-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FR1D-13-FT |
B1100LB-13-F
Diodes Incorporated
RS2J-13-F
Diodes Incorporated
S3JB-13-F
Diodes Incorporated
RS2G-13-F
Diodes Incorporated
S3KB-13-F
Diodes Incorporated
B230-13-F
Diodes Incorporated
B350B-13-F
Diodes Incorporated
RS1JB-13-F
Diodes Incorporated
ES3CB-13-F
Diodes Incorporated
S2A-13-F
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel