Número de pieza del fabricante | FR1A-TP |
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Número de parte futuro | FT-FR1A-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR1A-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR1A-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FR1A-TP-FT |
EGF1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel