casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQT7N10TF
Número de pieza del fabricante | FQT7N10TF |
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Número de parte futuro | FT-FQT7N10TF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQT7N10TF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 850mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT7N10TF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQT7N10TF-FT |
FDMS86568-F085
ON Semiconductor
FDMS9408L-F085
ON Semiconductor
FDMS9410L-F085
ON Semiconductor
FDWS86369-F085
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FDWS86368-F085
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FDMS86380-F085
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FDMS86381-F085
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FDMS86569-F085
ON Semiconductor
FDWS9508L-F085
ON Semiconductor
FDMS86580-F085
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A1020B-2VQ80I
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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