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ON Semiconductor FQT7N10LTF

Número de pieza de MFG
FQT7N10LTF
Cantidad disponible
65620 Piezas
Precio de referencia
USD 0.163136
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-FQT7N10LTF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQT7N10LTF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 290pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT7N10LTF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQT7N10LTF-FT

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