casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQT5P10TF
Número de pieza del fabricante | FQT5P10TF |
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Número de parte futuro | FT-FQT5P10TF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQT5P10TF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT5P10TF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQT5P10TF-FT |
FDMS9408-F085
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FDMS9409-F085
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XC4005E-2TQ144I
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M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
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