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ON Semiconductor FQT3P20TF-SB82100

Name: FQT3P20TF-SB82100
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQT3P20TF-SB82100
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

Número de pieza de MFG: FQT3P20TF-SB82100

Cantidad disponible: 22180 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQT3P20TF-SB82100.pdf

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Número de pieza del fabricante	FQT3P20TF-SB82100
Número de parte futuro	FT-FQT3P20TF-SB82100
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQT3P20TF-SB82100 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	670mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 335mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	250pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-4
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT3P20TF-SB82100 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQT3P20TF-SB82100-FT

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