casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FQS4900TF
Número de pieza del fabricante | FQS4900TF |
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Número de parte futuro | FT-FQS4900TF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQS4900TF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V, 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.3A, 300mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 650mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQS4900TF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQS4900TF-FT |
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