casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF6N90CT
Número de pieza del fabricante | FQPF6N90CT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQPF6N90CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF6N90CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 56W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF6N90CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQPF6N90CT-FT |
FQPF12P20
ON Semiconductor
FQPF12P20XDTU
ON Semiconductor
FQPF12P20YDTU
ON Semiconductor
FQPF13N06
ON Semiconductor
FQPF13N10
ON Semiconductor
FQPF13N10L
ON Semiconductor
FQPF13N50
ON Semiconductor
FQPF13N50C
ON Semiconductor
FQPF13N50CSDTU
ON Semiconductor
FQPF13N50CT
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel