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ON Semiconductor FQPF19N10L

Name: FQPF19N10L
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF19N10L
Availability: InStock
Rating: 4.6 (595 reviews)

Número de pieza de MFG: FQPF19N10L

Cantidad disponible: 22710 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQPF19N10L.pdf

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FQPF19N10L Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQPF19N10L
Número de parte futuro	FT-FQPF19N10L
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQPF19N10L Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	870pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF19N10L Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQPF19N10L-FT

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