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ON Semiconductor FQPF10N60CYDTU

Name: FQPF10N60CYDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF10N60CYDTU
Availability: InStock
Rating: 4.9 (183 reviews)

Número de pieza de MFG: FQPF10N60CYDTU

Cantidad disponible: 63670 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQPF10N60CYDTU.pdf

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FQPF10N60CYDTU Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQPF10N60CYDTU
Número de parte futuro	FT-FQPF10N60CYDTU
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQPF10N60CYDTU Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2040pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF10N60CYDTU Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQPF10N60CYDTU-FT

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