casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQP3N60
Número de pieza del fabricante | FQP3N60 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQP3N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP3N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 450pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP3N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQP3N60-FT |
FCP11N60
ON Semiconductor
FCP125N60E
ON Semiconductor
FCP170N60
ON Semiconductor
FCP190N60-GF102
ON Semiconductor
FCP20N60_F080
ON Semiconductor
FCP20N60_G
ON Semiconductor
FCP220N80
ON Semiconductor
FCP25N60N
ON Semiconductor
FCP260N60E
ON Semiconductor
FCP380N60E
ON Semiconductor