casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQP2N40-F080
Número de pieza del fabricante | FQP2N40-F080 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQP2N40-F080 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP2N40-F080 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP2N40-F080 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQP2N40-F080-FT |
FCP4N60
ON Semiconductor
FQP4P40
ON Semiconductor
FCP7N60
ON Semiconductor
FDP12N50
ON Semiconductor
FDP7N50
ON Semiconductor
FQP12P10
ON Semiconductor
FQP2P40-F080
ON Semiconductor
FQP6N40C
ON Semiconductor
FQP9N90C
ON Semiconductor
FQP10N20C
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel