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ON Semiconductor FQN1N50CBU

Name: FQN1N50CBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQN1N50CBU
Availability: InStock
Rating: 4.8 (652 reviews)

Número de pieza de MFG: FQN1N50CBU

Cantidad disponible: 82900 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQN1N50CBU.pdf

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FQN1N50CBU Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQN1N50CBU
Número de parte futuro	FT-FQN1N50CBU
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQN1N50CBU Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	380mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	195pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQN1N50CBU Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQN1N50CBU-FT

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