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FQN1N50CBU Image

ON Semiconductor FQN1N50CBU

Número de pieza de MFG
FQN1N50CBU
Cantidad disponible
82900 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante FQN1N50CBU
Número de parte futuro FT-FQN1N50CBU
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQN1N50CBU Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 380mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 195pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQN1N50CBU Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQN1N50CBU-FT

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