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ON Semiconductor FQH8N100C

Name: FQH8N100C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQH8N100C
Price: 3.032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (29 reviews)

Número de pieza de MFG: FQH8N100C

Cantidad disponible: 50970 Piezas

Precio de referencia: USD 3.032

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQH8N100C.pdf

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FQH8N100C Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQH8N100C
Número de parte futuro	FT-FQH8N100C
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQH8N100C Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3220pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	225W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQH8N100C Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQH8N100C-FT

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