casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD7N30TF
Número de pieza del fabricante | FQD7N30TF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQD7N30TF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD7N30TF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 2.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 610pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD7N30TF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQD7N30TF-FT |
FQD16N25CTM_F080
ON Semiconductor
FQD17P06TF
ON Semiconductor
FQD18N20V2TF
ON Semiconductor
FQD19N10LTF
ON Semiconductor
FQD19N10TF
ON Semiconductor
FQD19N10TM_F080
ON Semiconductor
FQD1N50TF
ON Semiconductor
FQD1N50TM
ON Semiconductor
FQD1N60CTF
ON Semiconductor
FQD1N60TF
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel