casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD6N25TM
Número de pieza del fabricante | FQD6N25TM |
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Número de parte futuro | FT-FQD6N25TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD6N25TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD6N25TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQD6N25TM-FT |
FQD4N25TM-WS
ON Semiconductor
IRFR3710ZTRPBF
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
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AGL1000V5-FGG256I
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LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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