casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD2N100TM
Número de pieza del fabricante | FQD2N100TM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQD2N100TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD2N100TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 520pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD2N100TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQD2N100TM-FT |
ZVN4310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120C
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOB
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel