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ON Semiconductor FQAF8N80

Name: FQAF8N80
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQAF8N80
Availability: InStock
Rating: 5.0 (603 reviews)

Número de pieza de MFG: FQAF8N80

Cantidad disponible: 14120 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQAF8N80.pdf

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FQAF8N80 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQAF8N80
Número de parte futuro	FT-FQAF8N80
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQAF8N80 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2350pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PF
Paquete / Caja	TO-3P-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQAF8N80 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQAF8N80-FT

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