casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQAF7N90
Número de pieza del fabricante | FQAF7N90 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQAF7N90 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF7N90 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2280pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 107W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PF |
Paquete / Caja | TO-3P-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF7N90 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQAF7N90-FT |
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor
FQU6N50CTU
ON Semiconductor
FQU6P25TU
ON Semiconductor
FQU7N10LTU
ON Semiconductor
FQU7N20TU
ON Semiconductor
FQU7P06TU
ON Semiconductor
FQU7P06TU_NB82048
ON Semiconductor
FQU7P20TU
ON Semiconductor
FQU7P20TU_AM002
ON Semiconductor
FQU8N25TU
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel