casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQA9N90C-F109
Número de pieza del fabricante | FQA9N90C-F109 |
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Número de parte futuro | FT-FQA9N90C-F109 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA9N90C-F109 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2730pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 280W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA9N90C-F109 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQA9N90C-F109-FT |
RJK2057DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2555DPA-00#J0
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RJK2557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK03M5DNS-00#J5
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UPA2820T1S-E2-AT
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UPA2825T1S-E2-AT
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2SK3482-AZ
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2SK3484-AZ
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2SK3483-AZ
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2SK3813-AZ
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LFXP3C-3TN100C
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XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
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