casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP35R12KT4B11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FP35R12KT4B11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FP35R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP35R12KT4B11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35A |
Potencia - max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4B11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FP35R12KT4B11BOSA1-FT |
GHIS060A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation