casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Triac, Salida SCR / FODM3011V
Número de pieza del fabricante | FODM3011V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FODM3011V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3011V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de salida | Triac |
Circuito de cruce por cero | No |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 3750Vrms |
Voltaje - Estado apagado | 250V |
Estático dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corriente - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corriente - Mantener (Ih) | 300µA (Typ) |
Tiempo de encendido | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SMD |
Aprobaciones | BSI, CSA, UL, VDE |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3011V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FODM3011V-FT |
TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP525G-2(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
PR36MF51NSZF
Sharp Microelectronics
PR39MF22YSZF
Sharp Microelectronics
PR49MF11NSZF
Sharp Microelectronics
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP4SE820F43C4
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
M2GL060-1FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4SGX110FF35I3
Intel