casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Triac, Salida SCR / FODM3011R3
Número de pieza del fabricante | FODM3011R3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FODM3011R3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM3011R3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de salida | Triac |
Circuito de cruce por cero | No |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 3750Vrms |
Voltaje - Estado apagado | 250V |
Estático dV / dt (Min) | 10V/µs (Typ) |
Corriente - LED Trigger (Ift) (Max) | 10mA |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 70mA |
Corriente - Mantener (Ih) | 300µA (Typ) |
Tiempo de encendido | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-SMD |
Aprobaciones | BSI, CSA, UL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM3011R3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FODM3011R3-FT |
TLP266J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP266J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP268J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4PQ208C
Xilinx Inc.
APA600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150CF23C7
Intel
EP1M120F484C5N
Intel
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
EP4SGX360HF35C4N
Intel