casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / FMMT619-G
Número de pieza del fabricante | FMMT619-G |
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Número de parte futuro | FT-FMMT619-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMMT619-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 2A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMMT619-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FMMT619-G-FT |
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XC3S1200E-4FT256C
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Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.