casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FK4B01120L1
Número de pieza del fabricante | FK4B01120L1 |
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Número de parte futuro | FT-FK4B01120L1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FK4B01120L1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 394µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 490pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 370mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ULGA004-W-1010-RA01 |
Paquete / Caja | 4-XFLGA, CSP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK4B01120L1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FK4B01120L1-FT |
HAF1002-90STL-E
Renesas Electronics America
RJK2006DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4512DPE-00#J3
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RJK5012DPE-00#J3
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RJK5013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6026DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL5012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
M2GL050-1FG484
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ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel