casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJV3114RMTF
Número de pieza del fabricante | FJV3114RMTF |
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Número de parte futuro | FT-FJV3114RMTF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJV3114RMTF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3114RMTF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJV3114RMTF-FT |
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRP123ES,126
NXP USA Inc.
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484LI
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel