casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJV3108RMTF
Número de pieza del fabricante | FJV3108RMTF |
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Número de parte futuro | FT-FJV3108RMTF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJV3108RMTF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3108RMTF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJV3108RMTF-FT |
DRA2144E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2144T0L
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DRA2144V0L
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DRA2144W0L
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DRA2L14Y0L
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XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
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EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel