casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJV3108RMTF
Número de pieza del fabricante | FJV3108RMTF |
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Número de parte futuro | FT-FJV3108RMTF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJV3108RMTF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3108RMTF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJV3108RMTF-FT |
DRA2144E0L
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DRA2144T0L
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DRA2144V0L
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XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
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EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel